4 Zoll einseitig polierter Silizium wafer, CZ {100} , 525um, P-Typ-Prime Grade Silicon

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bericht Verdächtige Aktivität
Übersicht
Kurzbeschreibung
Ursprungsort:
United Kingdom
Markenname:
IceMOS
Modellnummer:
4000.001694
Produkt name:
Poliert wafer
Stichwort:
Si Wafer
Material:
SSP
Durchmesser:
100mm
Typ:
P-typ
Orientierung:
100
Widerstand:
0,1-0,5 Ohm-cm
Anwendung:
MEMS, Sensoren, Mikrofluidik, RF & Optische mikrostrukturen
Zertifizierung:
ISO9001:2015
Verpackung & Versand
Verpackungsdetails
SEMI standard in eine klasse 10 reinraum.
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FAQ
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IceMOS TechnologieBietet eine welt klasse benutzerdefinierte poliert wafer lösung. IceMOS SSP waffeln sind eine hervorragende substrat für doppelseitige lithographie verarbeitung; die IceMOS know-how und wissen der produkt und die prozesse erlauben für außergewöhnliche dicke control und oberfläche rauheit-ideal für eine downstream wafer bonding prozess.

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Produkt Beschreibung
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4 zoll Prime Grade Einseitig Poliert (SSP) Silizium wafer , CZ {100}

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AnwendungenMEMS, Mikrofluidik/flow sensoren, Optoelektronik

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Spezifikation
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Parameter

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Spezifikation Bereich

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Wafer Durchmesser

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100mm

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Wafer Dicke

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600 & micro;m - 550 & micro;m

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Insgesamt Dicke Variation (TTV)

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≤ 10 & micro;m

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Bogen

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≤ 40 & micro;m

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Warp

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≤ 40 & micro;m

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Dopant Typ

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P : Bor

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Widerstand

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0,1-0,5 Ohm-cm

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Wachstum Methode

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CZ

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Kristall Orientierung

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<100>

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Über IceMOS
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Gegründet in 2004,IceMOS TechnologieIst fokussierten auf gründung selbst als eine best-in-class anbieter von kosten effektive/hohe leistungSuper Junction MOSFETs, MEMS lösungen und Advanced Engineering Substraten.

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IceMOS hat entwickelt eine innovativeTiefe graben MEMS Super Junction Hohe Spannung MOSFET, Dass übertrifft konkurrierende lösungen mit einem viel einfacher, geringeren kosten prozess.

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IceMOS ist weltweit führend in der entwicklung und herstellung von hohe qualität MEMS produkt substrate sowie erweiterte engineering substraten basierend auf unsere wafer bonding technologie. Unsere produkte umfassen:

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  • Dicken Film Silizium auf Isolator (SOI)
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  • Silizium-Silizium Direct Bonded Waffeln (SiSi)
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  • Doppel/Multi schicht SOI und SiSi
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  • Graben isolation SOI
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  • Hohlraum SOI
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  • Durch Silicon Über Interconnect
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  • Nach Advanced Engineering Substraten
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IceMOS arbeiten direkt mit den kunden zu entwickeln eine einzigartige spezialisiert produkt wenn diese ist nicht bereits auf bieten.

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Umfasst über zehn jahre von know-how, unübertroffenen herstellung geschick und die neuesten entwicklungen in technologie, iceMOS sorgt dafür, dass jeder kunde hervorragende service von der punkt der ersten anfrage durch zu produkt lieferung. Zusammen mit bietet innovative produkt entwicklung, design und spezialisiert dienstleistungen, die engineering-team zu IceMOS bietet eine reihe von technische unterstützung.

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Die gewidmet team bieten den kunden die möglichkeit, erhalten zugeschnitten lösungen und einzigartige dienstleistungen durch die bereitstellung der neuesten innovationen in die Halbleiter industrie.

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Ausgezeichnet die\"ISO 9001:2000TS 16949 Automotive Qualität Standard\"IceMOS ist prided auf kontinuierliche investition in qualität verfahren.

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