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40 V60 STGW40V60 IGBT-Transistor Einzel 80A 600V 283W DIP TO-247-3 STGW40V60DLF

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.Kundenspezifische Hersteller3 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
STGW40V60DLF
Art
IGBT Transistor
Markenname
Original
Paket-Art
Durch Loch

Andere Merkmale

Ursprungsort
China
Paket/Fall
Bis-247-3
D/c
Neu
Anwendung
Igbt Transistor
Kreuz Referenz
Stgw40v60, Stgfw40v60, Stgwt40v60, Stgp40v60, Stgwf40v60, Stgw40v60df, Stgfw40v60df, Stgwt40v60df, Stgwt40v60dlf, Stgw40v60f, Stgfw40v60f, Stgp40v60f, Stgw40v60dlf, Stgwf40v60df
品名
Stgw40v60dlf
Strom-Collector (Ic) (Max)
80a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
600v
Strom-Collector Cutoff (Max)
160a
Power-Max
283w
Frequenz-Übergang
411uj (Aus)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (tj)
Befestigungstyp
Perforation
IGBT Typ
Graben feld stopp
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
2,3 v @ 15v, 40a
Eingang
Standard
Schalt energie
411uj (Aus)
Tor ladung
226 nc
Test bedingung
400V, 40A, 10Ohm, 15V.

Verpackung und Lieferung

Hafen
Shenzhen

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit
10000 Stück/Stücke per Week

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 10000 > 10000
Vsl. Dauer (Tage)3Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

PCBA
Min. Auftrag: 1
SMT
Min. Auftrag: 1

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

>= 1 Stück
0,10 $

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