Beschreibung
laser diode 635 nm
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
customer's demand
Betriebstemperatur
-10-50'c
Anwendung
medical infrared biological
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Händler, Other
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other
Spannung-Spitzen Reverse (Max)
NA
Strom-Durchschnitt Behoben (Io)
20mA
Spannung-Forward (Vf) (Max) @ Wenn
NA
Strom-Reverse Leckage @ Vr
NA
Betriebstemperatur
-10-50'c
Spannung-DC Reverse (Vr) (Max)
NA
Strom-Durchschnitt Behoben (Io) (pro Diode)
NA
Geschwindigkeit
Nicht Anwendbar
Reverse Recovery Zeit (trr)
NA
Kapazität Verhältnis Zustand
NA
Spannung-Zener (Nom) (Vz)
NA
Description
Light Emitting Diode