60 N60 FGH60N60 IKFW60N60 IXGH60N60 NGTB60N60 IGBT-Transistor Einzel 120A 600V 378W DIP FGH60N60SFTU

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

Kundenspezifische Hersteller4 yrs

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

FGH60N60SFTU

Art

IGBT Transistor

Markenname

Original

Paket-Art

Through Hole

Andere Merkmale

Montage Typ

Through Hole

Beschreibung

FGH60N60SFTU Transistors

Ursprungsort

China

Paket/Fall

TO-247-3

Art

Discrete Semiconductor Products

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Serie

Transistor

D/c

New

Anwendung

IGBT Transistor

品名

FGH60N60SFTU

Strom-Collector (Ic) (Max)

120A

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

600V

Strom-Collector Cutoff (Max)

180A

Power-Max

378W

Frequenz-Übergang

1.79mJ (on) 670uJ (off)

Betriebstemperatur

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

Befestigungstyp

Perforation

IGBT Typ

Field Stop

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Eingang

Standard

Switching Energy

1.79mJ (on), 670uJ (off)

Gate Charge

198 nC

Td (on/off) @ 25℃

22ns/134ns

Test Condition

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 10000	> 10000
Vsl. Dauer (Tage)	3	Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

PCBA

Min. Auftrag: 1

SMT

Min. Auftrag: 1

PCB

Min. Auftrag: 1

BOM

Min. Auftrag: 1

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