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      650 V 2 A N-Kanal-Strom-MOSFET-Transistor mit schneller Schaltzeit für Stromversorgung und PWM-Motorsteuerung

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      Aiko Electronics Technology Co., Ltd.1 yrCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      AKF2N65P
      Art
      MOSFET
      Markenname
      AIKO
      Paket-Art
      TO-220F

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      through holes
      Beschreibung
      Low Intrinsic Capacitances, Excellent Switching Characteristics, Extended Safe Operating Area, Unrivalled Gate Charge, 100% Avalanche Tested
      Ursprungsort
      Zhejiang, China
      Paket/Fall
      TO-220F
      Art
      MOSFET transistor
      Betriebstemperatur
      -55℃~+150℃
      Serie
      MOSFET
      Anwendung
      high efficient DC to DC converters
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      650V 2A N-Channel Power MOSFET
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      2A(TC=25℃), 1.25A(TC=100℃)
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      650V
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      10V
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      2A
      Power-Max
      28W
      Betriebstemperatur
      -55°C ~ 150°C
      Befestigungstyp
      Perforation
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      650V
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      2A
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      4.8 Ohm
      Vgs (th) (Max) @ Id
      4.0V
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      6.7nC
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      320pF @ 25V
      Nennstrom (Ampere)
      2A
      Spannung-Bewertet
      650V
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      2.0V
      Vgs (Max)
      4.0V
      Konfiguration
      Einzel
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      10V
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      320pF
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      650V
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1uA
      Strom Drain (Id)-Max
      2A
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      10V
      Widerstand-RDS (Auf)
      4.8 Ohm(Max.)
      Spannung-Ausgang
      650V
      Spannung-Offset (Vt)
      ±30V
      Strom-Tal (Iv)
      1.25A
      Strom-Spitzen
      2A
      Anwendungen
      Low speed switch
      Transistor Typ
      MOSFET transistor, N-Channel, Enhancement Mode
      VDSS
      650V
      VGSS
      ±30V
      Drain Current(TC=25℃)
      2A
      Drain Current(TC=100℃)
      1.25A
      Single Pulse Avalanche Energy
      120mJ
      Maximum Power Dissipation(TC=25℃)
      28W
      Gate-body leakage Current, Forward
      100nA
      Gate Threshold Voltage
      2 V~ 4V
      Application 1
      UPS Applications
      Application 2
      DC-DC Converters and AC-DC Power Supply
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