AIN auf Si Aluminium Nitrid Wafer auf Silizium

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Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd.3 yrs

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Hauptmerkmale

Andere Merkmale

Ursprungsort

Shanghai

Markenname

XInkehui

Modellnummer

2-6 inch

Art

GaN Wafer

Type/Dopant

GaN Wafer

Item

AlN-T-C-U-C50

Conduction Type

Semi-Insulating

Thickness

1~5μm

Surface Roughness

Ra<1.5nm(10*10μm)

Substrate

Sapphire(Single or Double Side Polished)

Orientation

C-plane (0001)±1°

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

25X25X10 cm

Einzelbruttogewicht:

2.000 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 25	26 - 100	> 100
Vsl. Dauer (Tage)	14	21	Zu verhandeln

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