Nagelneu 2N6307 Transistor mit bipolarer Kreuzung, NPN-Typ, TO-3

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Shenzhen Yangminghongye Technology Co., Ltd.4 yrs

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

TOP222YN

Art

Power-Management-Chip

Markenname

ISC

Paket-Art

Zu-3

Andere Merkmale

Montage Typ

Dip

Beschreibung

Neu

Ursprungsort

Switzerland

Paket/Fall

Isowatt218fx

Art

Betriebstemperatur

Serie

D/c

2020

Anwendung

Mosfet

Lieferantentyp

Original hersteller

Kreuz Referenz

2 n6307

Media Verfügbar

Datenblatt

品名

Mosfet-Transistor

Strom-Collector (Ic) (Max)

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Strom-Collector Cutoff (Max)

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Frequenz-Übergang

Betriebstemperatur

150 °c (tj)

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

Widerstand-Emitter Basis (R2)

FET Typ

N-Kanal

FET Feature

Drain Quelle Spannung (Vdss)

1500v

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

2,5 a (tc)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

9Ohm bei 1,3 A, 10V.

Vgs (th) (Max) @ Id

5v 250

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

29,3 nc

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

939pf @ 25v

Frequenz

Nennstrom (Ampere)

Rauschzahl

Power-Ausgang

Spannung-Bewertet

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

10v

Vgs (Max)

± 30v

IGBT Typ

Konfiguration

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Eingang

Ntc

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Strom Drain (Id)-Max

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Widerstand-RDS (Auf)

Spannung

Spannung-Ausgang

Spannung-Offset (Vt)

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Strom-Tal (Iv)

Strom-Spitzen

Anwendungen

Transistor Typ

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

10X10X10 cm

Einzelbruttogewicht:

0.100 kg

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