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      FDP100N10 FDP100N10 TO-220 MOSFET-Dioden triode Der Transistor

      Noch keine Bewertungen
      Shenzhen Yimaoxun Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      FDP100N10
      Art
      MOSFET
      Markenname
      YMX
      Paket-Art
      TO-220

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Standard
      Beschreibung
      Standard
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      TO-220
      Art
      Standard
      Betriebstemperatur
      Standard
      Serie
      Standard
      D/c
      Standard
      Anwendung
      Mikrofon
      Lieferantentyp
      Original hersteller, Agentur, Händler, Other
      Kreuz Referenz
      FDP100N10
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other
      品名
      MOS
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      1
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      1
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      1
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      1
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      1
      Power-Max
      1
      Frequenz-Übergang
      1
      Betriebstemperatur
      Standard
      Befestigungstyp
      Standard
      Widerstand-Basis (R1)
      1
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      1
      FET Typ
      1
      FET Feature
      Siliziumkarbid (SiC)
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      1
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      1
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      1
      Vgs (th) (Max) @ Id
      1
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      1
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      1
      Frequenz
      1
      Nennstrom (Ampere)
      1
      Rauschzahl
      1
      Power-Ausgang
      1
      Spannung-Bewertet
      1
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      1
      Vgs (Max)
      1
      IGBT Typ
      1
      Konfiguration
      Einzel
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      1
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      1
      Eingang
      1
      Ntc
      1
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      1
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      1
      Strom Drain (Id)-Max
      1
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      1
      Widerstand-RDS (Auf)
      1
      Spannung
      1
      Spannung-Ausgang
      1
      Spannung-Offset (Vt)
      1
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      1
      Strom-Tal (Iv)
      1
      Strom-Spitzen
      1
      Anwendungen
      1
      Transistor Typ
      Standard

      Verpackung und Lieferung

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      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      0.1X0.1X0.1 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.001 kg
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      Beschaffungszeit

      Menge (Sätze)1 - 100101 - 1000010001 - 100000 > 100000
      Vsl. Dauer (Tage)357Zu verhandeln

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      500000 - 799999 Sätze
      0,4201 €
      800000 - 999999 Sätze
      0,4107 €
      >= 1000000 Sätze
      0,4014 €

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