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      FGA25N120 ANTD IGBT Induktion sherd Leistungs transistor IC 25A/1200V

      Noch keine Bewertungen34 verkauft#10Bestseller in Transistoren
      Shenzhen Goldeleway Electronics Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant14 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      FGA25N120
      Art
      Products transistors-ugbt, mosfet-single
      Markenname
      EIECHIP
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Standard
      Beschreibung
      Standard
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      TO-3P-3, SC-65-3
      D/c
      /
      Anwendung
      Andere
      Lieferantentyp
      Andere
      Kreuz Referenz
      /
      Media Verfügbar
      Andere
      品名
      /
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      50 a
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      1200 v
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      2,65 v @ 15v, 50a
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      /
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      /
      Power-Max
      312 w
      Frequenz-Übergang
      /
      Betriebstemperatur
      -55 °c ~ 150 °c
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      /
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      /
      FET Typ
      /
      FET Feature
      /
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      /
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      /
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      /
      Vgs (th) (Max) @ Id
      /
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      /
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      /
      Frequenz
      /
      Nennstrom (Ampere)
      /
      Rauschzahl
      /
      Power-Ausgang
      /
      Spannung-Bewertet
      /
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      /
      Vgs (Max)
      /
      IGBT Typ
      /
      Konfiguration
      /
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      /
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      /
      Eingang
      /
      Ntc
      /
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      /
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      /
      Strom Drain (Id)-Max
      /
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      /
      Widerstand-RDS (Auf)
      /
      Spannung
      /
      Spannung-Ausgang
      /
      Spannung-Offset (Vt)
      /
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      /
      Strom-Tal (Iv)
      /
      Strom-Spitzen
      /
      Anwendungen
      /
      Typ
      -

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