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GT50JR22 50JR22 NPN-IGBT isoliertes Tiefgang bipolarer Transistor TO-3P-Typ IC aus Silizium

(3 Bewertungen)20 verkauft

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
GT50JR22
Art
standard
Markenname
Original Brand
Paket-Art
TO-3P

Andere Merkmale

Montage Typ
Gt50jr22
Beschreibung
Gt50jr22
Ursprungsort
standard
Paket/Fall
Standard
Art
Standard
Betriebstemperatur
Standard
Serie
Standard
D/c
Standard
Anwendung
Standard
Lieferantentyp
ODM
Media Verfügbar
das Fotos
品名
Standard
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard
Strom-Collector Cutoff (Max)
Standard
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Power-Max
Standard
Frequenz-Übergang
Standard
Betriebstemperatur
standard
Befestigungstyp
Standard
Widerstand-Basis (R1)
Standard
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard
FET Feature
Ständer
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Standard
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Standard
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Stand Stand
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Frequenz
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Rauschzahl
Stand Stand
Power-Ausgang
Standard
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Standard
Vgs (Max)
Standard
IGBT Typ
Standard
Konfiguration
Standard
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Stand Stand
Eingang
Standard
Ntc
Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Strom Drain (Id)-Max
Standard
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard
Widerstand-RDS (Auf)
Standard
Spannung
Standard
Spannung-Ausgang
Standard
Spannung-Offset (Vt)
Standard
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard
Strom-Tal (Iv)
Standard
Strom-Spitzen
Standard
Anwendungen
Standard
Transistor Typ
Standard
Typ
Bipolarer Übergangs transistor
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Neu und original
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Marke
Ursprüngliche marke/kontakt kunden service

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Standard verpackung für GT50JR22 50 JR22 Silizium NPN IGBT Isolierte Gate Bipolar Transistor TO-3P
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
3X1X2 cm
Einzelbruttogewicht:
0.008 kg

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Menge (Stück)1 - 100000000 > 100000000
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