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      GT60N Bipolar transistor mit isoliertem Gate GT60N321

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      Guofenglin Technology (shenzhen) Co., Ltd.2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      GT60N321
      Art
      MOSFET
      Markenname
      Original Brand

      Andere Merkmale

      Beschreibung
      Standard
      Ursprungsort
      China
      Teilen ummer
      Gt60n321
      Teiles tatus
      Veraltet
      Vce (auf) (max) @ vge, ic
      2,8 v @ 15v, 60a
      Td (ein/aus) @ 25 °c
      330ns/700ns
      Umgekehrte Erholungs zeit (trr)
      2,5 uns
      Paket/fall
      TO-3PL

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      ESD/Vakuum/Schaum/Kartons
      Hafen
      Hongkong/Shenzhen

      Lieferfähigkeit

      Lieferfähigkeit
      10000 Stück/Stücke per Week
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