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Großartige brandneue SKiM401TMLI12E4B SKiM 4-Trentch-IGBT-Module 1200 V 400 A SKiM401TMLI12E4B SKIIP IGBT MOSFET
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Shenzhen Mingweida Electronics Co., Ltd.
1 yr
CN
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
SKiM401TMLI12E4B
Art
IGBT Transistor
Markenname
Original
Paket-Art
-
Andere Merkmale
Montage Typ
standard
Beschreibung
standard
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
standard
Art
standard
Betriebstemperatur
standard
Serie
standard
D/c
NEW
Anwendung
MOSFET fahrer
Lieferantentyp
Original hersteller
Kreuz Referenz
-
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
standard
Strom-Collector (Ic) (Max)
standard
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
standard
Frequenz-Übergang
standard
Betriebstemperatur
standard
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Typ
standard
FET Feature
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Spannung-Bewertet
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
--
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
-
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Eingang
-
Ntc
--
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Widerstand-RDS (Auf)
-
Spannung
-
Spannung-Ausgang
--
Spannung-Offset (Vt)
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Strom-Tal (Iv)
-
Strom-Spitzen
-
Anwendungen
-
Transistor Typ
-
Part Number
SKiM401TMLI12E4B
Manufacturer
Semikron Danfoss
Quality
Brand New
Lead Time
1-2Days
MOQ
1
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Beschaffungszeit
Menge (Stück)
1 - 1
> 1
Vsl. Dauer (Tage)
1
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765,90 SAR
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