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HGQ011N03A-G 12V-300V NMOS-Silizium-N-Kanal-Leistungs-MOSFET PDFN5 * 6 30V 300A 0,75 mR CRMICRO-Transistor
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
HGQ011N03A-G
Art
MOSFET
Markenname
CRMICRO
Paket-Art
Oberfläche Montieren
Andere Merkmale
Montage Typ
Smt
Beschreibung
Silizium n-Kanal Mosfet pdfn5 * 6 30v 300a 0,75 mr
Ursprungsort
China
Paket/Fall
Pdfn5 * 6
Serie
12v-300v nmos
D/c
Neueste
Anwendung
Allgemeine Zweck
Lieferantentyp
Aktiv
Media Verfügbar
Datenblatt
品名
HGQ011N03A-G
Betriebstemperatur
Standard
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
FET Typ
Mosfet
FET Feature
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
30v
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
300a
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
1mr
Vgs (th) (Max) @ Id
1,8 v
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
92,5
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
4849
Frequenz
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Rauschzahl
Standard
Verpackung und Lieferung
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
1X1X1 cm
Einzelbruttogewicht:
0.010 kg
Beschaffungszeit
| Menge (Stück) | 1 - 1000 | > 1000 |
| Vsl. Dauer (Tage) | 15 | Zu verhandeln |
Produktbeschreibungen vom Lieferanten
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