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HZWL GBU2510 25 A 1000 V Leistungstransistor C5027 13005 Transistoren Igbt Mosfet Transistor GBU2510
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
GBU2510
Art
Standard
Markenname
Original brand from HZWL
Paket-Art
Während des Lochs
Andere Merkmale
Montage Typ
Standard
Beschreibung
Standard
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Standard, Standard verpackung für elektronische Komponenten
Art
Standard, Igbt Transistor
Betriebstemperatur
Standard
Serie
Standard
D/c
Neu
Anwendung
Netzschalter schaltungen, Kommunikation/Elektronik/Beleuchtung
Lieferantentyp
Original hersteller, Andere
Kreuz Referenz
Pls kontaktieren sie unsere
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, Andere
品名
Standard
Strom-Collector (Ic) (Max)
15a
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
230v
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
3v @ 800ma, 8a
Strom-Collector Cutoff (Max)
5ua (icbo)
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
55 @ 1a, 5v, 80
Power-Max
150w
Frequenz-Übergang
30mhz
Widerstand-Basis (R1)
Als Parameter
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Als Parameter
FET Typ
{-21-Standard}
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Als Parameter
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Als Parameter
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Als Parameter
Vgs (th) (Max) @ Id
Als Parameter
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Als Parameter
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Als Parameter
Frequenz
Ursprünglicher Standard
Nennstrom (Ampere)
15 a
Rauschzahl
Als Parameter
Power-Ausgang
150 Watt
Spannung-Bewertet
230 Volt
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Als Parameter
Vgs (Max)
Als Parameter
IGBT Typ
Als Parameter
Konfiguration
Dreiphasig
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Als Parameter
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Ursprünglicher Standard
Eingang
Als Parameter
Ntc
Als Parameter
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Als Parameter
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Als Parameter
Strom Drain (Id)-Max
Als Parameter
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Als Parameter
Widerstand-RDS (Auf)
Als Parameter
Spannung
Maximaler Strom mit 230 Volt
Spannung-Ausgang
230v
Spannung-Offset (Vt)
Als Parameter
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Als Parameter
Strom-Tal (Iv)
Als Parameter
Strom-Spitzen
Als Parameter
Anwendungen
Ursprünglicher Standard
Transistor Typ
Audio-Leistungs transistor
Zertifikat
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Qualität
100% original Marke
Service
24 Stunden online
Zahlung
Paypal \ tt \ western union \ handel assurance
Bieten
One-Stop-Bom-Liste-Service
Liefern zeit
3-5 Werktage
Schlüssel wörter
Transistor
Verpackung und Lieferung
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
8X8X32 cm
Einzelbruttogewicht:
0.952 kg
Beschaffungszeit
| Menge (Stück) | 1 - 100000 | > 100000 |
| Vsl. Dauer (Tage) | 10 | Zu verhandeln |
Kundenspezifische Anpassung
YP
Min. Auftrag: 1000000
Für weitere Details zur Anpassung, Lieferanten kontaktieren
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10 - 99 Stück
0,0942 €
100 - 9999 Stück
0,0754 €
>= 10000 Stück
0,0659 €
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