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      HZWL GBU806 8 A 600 V GBU8 Rd100hhf1 Leistungstransistor Transistoren Igbt Mosfet-Transistor GBU806

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      Shenzhen Haozhuo Waring Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      GBU806
      Art
      Standard
      Markenname
      original
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      standard
      Beschreibung
      standard
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      standard, Electronic Component Standard Reel/Box Packing
      Art
      standard, IGBT Transistor
      Betriebstemperatur
      standard
      Serie
      standard
      D/c
      New
      Anwendung
      Power Switch Circuits, Communication/Electronics/Lighting
      Lieferantentyp
      Original hersteller, Other
      Kreuz Referenz
      Pls Contact Ours
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, Other
      品名
      standard
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      15A
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      230V
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      3V @ 800mA, 8A
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      5uA (ICBO)
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      55 @ 1A, 5V, 80
      Power-Max
      150W
      Frequenz-Übergang
      30MHz
      Widerstand-Basis (R1)
      As Parameter
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      As Parameter
      FET Typ
      {-21-Standard}
      FET Feature
      Siliziumkarbid (SiC)
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      As Parameter
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      As Parameter
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      As Parameter
      Vgs (th) (Max) @ Id
      As Parameter
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      As Parameter
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      As Parameter
      Frequenz
      Original standard
      Nennstrom (Ampere)
      15 A
      Rauschzahl
      As Parameter
      Power-Ausgang
      150 Watt
      Spannung-Bewertet
      230 Volts
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      As Parameter
      Vgs (Max)
      As Parameter
      IGBT Typ
      As Parameter
      Konfiguration
      Dreiphasig
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      As Parameter
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Original standard
      Eingang
      As Parameter
      Ntc
      As Parameter
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      As Parameter
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      As Parameter
      Strom Drain (Id)-Max
      As Parameter
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      As Parameter
      Widerstand-RDS (Auf)
      As Parameter
      Spannung
      230 Volts Max Current
      Spannung-Ausgang
      230V
      Spannung-Offset (Vt)
      As Parameter
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      As Parameter
      Strom-Tal (Iv)
      As Parameter
      Strom-Spitzen
      As Parameter
      Anwendungen
      Original standard
      Transistor Typ
      Audio Power Transistor
      certificate
      RoHS
      Shipping BY
      DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post
      Quality
      100% Original 100% Brand
      Service
      24 Hours Online
      Payment
      Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance
      Provide
      One-stop BOM List Service
      Deliver time
      3-5 working days
      Keywords
      Transistor

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      8X8X32 cm
      Einzelbruttogewicht:
      0.952 kg
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      Beschaffungszeit

      Menge (Stück)1 - 100000 > 100000
      Vsl. Dauer (Tage)10Zu verhandeln

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      YP
      Min. Auftrag: 1000000
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      Produktbeschreibungen vom Lieferanten

      10 - 99 Stück
      0,10 $
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      >= 10000 Stück
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