Beschreibung
Igbt transistor
Ursprungsort
Guangdong, China
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferantentyp
ODM, Original hersteller, Händler
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos
Strom-Collector (Ic) (Max)
200mA
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
30V, 30V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
78A (Tc), 92A (Tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 40A, 10V, 4.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.35V @ 50uA, 2.35V @ 50uA
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V, 23nC @ 4.5V
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2139pF @ 15V
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
4.5V, 10V
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Transistor Typ
mrf150 rf power transistor
Collector-Base Voltage
60V
Collector-Emitter Voltage
40V
brand
100% new and orignal
quality guarantee
test report available
Package
original packages with labels