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Hochtemperatur-Siliziumkarbid-Isolator-Keramikblech-SiC-Platte für Chip-IC-MOS-IGBT /Power-Modul

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Al2O3-Gehalt (%)
1.5%
SiC-Gehalt (%)
≥ 88%

Andere Merkmale

Ursprungsort
Henan, China
Form
Platte
Material
Siliziumkarbid (SiC)
Markenname
STA Refractory
Verarbeitung Service
Stanzen, Schneiden, Verpackung
Feuerfest igkeit (Grad)
1770 °
Anwendung
Keramik ofen möbel
Farbe
Schwarz

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Karton box/holzkiste oder anpassen
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
100X10X10 cm
Einzelbruttogewicht:
1.000 kg

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Min. Auftrag: 2000
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1000 - 9999 Stück
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