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IBGT Transistoren FGH40N60 FGH40N60 SMD 80 A 1,9 V 349 W 600 V TO-247-3 Isoliertes Tor Bipolartransistor FGH40N60SM
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Shenzhen Aosiwei Commercial Trade Co., Ltd.
Mehrfach spezialisierter Lieferant
4 yrs
CN
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Hauptmerkmale
Zentrale Industriespezifikation
Modellnummer
FGH40N60SMD
Art
IGBT Transistor
Markenname
Original Brand New
Andere Merkmale
Montage Typ
Durch Loch
Beschreibung
Bipolar transistor mit isoliertem Gate
Ursprungsort
Original
Paket/Fall
Bis-247-3
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃
Transistor Typ
Bipolar transistor mit isoliertem Gate
Anzahl der Stifte
3
Energie abgeführt
349 w
Durchschlags pannung (Kollektor-Emitter)
600 v
Umgekehrte Erholungs zeit
36 ns
Nennleistung (max)
349 w
Qualitäts garantie
45days-60days
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Zahlung
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Einzelbruttogewicht:
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> 100
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