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IGBT POWER MODULE MG50Q1BS1 MG50Q1BS11 MG25Q1BS1 MG75Q1BS11 MG75Q1BS1 MG25Q1BS11
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Hauptmerkmale
Andere Merkmale
Ursprungsort
Japan
Markenname
Toshiba
Modellnummer
MG50Q1BS1
Spec
50A/1200V/IGBT/1U
Typ
Bipolar Junction Transistor
Paket Typ
Throught Loch
Verschiffen durch
DHL UPS's Fedex EMS-FREIES's HK Post
Zustand
Original 100%
Garantie
180 tage
Verpackung und Lieferung
Details zur Verpackung
6pcs/Box
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
5X5X5 cm
Einzelbruttogewicht:
0.150 kg
Beschaffungszeit
| Menge (Stück) | 1 - 5 | > 5 |
| Vsl. Dauer (Tage) | 7 | Zu verhandeln |
Produktbeschreibungen vom Lieferanten
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