Anwendung
LED/Elektronik/PCB/Ladegerät/Power/Inverter
Lieferantentyp
Original hersteller
Max. Vorwärtsspannung
1,1 V
Diode Typ
Allgemeine Zweck Diode
Technologie
Silizium Wafer IC
Spannung-Spitzen Reverse (Max)
1000V
Strom-Durchschnitt Behoben (Io)
1A
Spannung-Forward (Vf) (Max) @ Wenn
30V
Strom-Reverse Leckage @ Vr
5A
Betriebstemperatur
-50 °C-150 °C
Befestigungstyp
DIP oder SMD
Diode Konfiguration
Standard 1N4007 & M7
Spannung-DC Reverse (Vr) (Max)
5V
Strom-Durchschnitt Behoben (Io) (pro Diode)
1000
Geschwindigkeit
Keine Recovery Zeit> 500mA (Io)
Reverse Recovery Zeit (trr)
30
Kapazität Verhältnis Zustand
Standard
Q @ Vr, F
450 @ 3 V, 50MHz
Spannung-Zener (Nom) (Vz)
1,1
Produkt name
Silicon Gleichrichter Diode
Verpackung
Rohr Tablett Band Reel Tasche