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IPW65R019C7FKSA1 Mosfet Transistor N-Channel 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) New Original Electronic Component IC Chip BOM Service

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Art
MOSFET
Markenname
Infimeom Technologies
Paket-Art
Through Hole

Andere Merkmale

Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Paket/Fall
PG-TO247-3
Serie
N-Channel
D/c
Newest
Anwendung
MOSFET fahrer
品名
IPW65R019C7FKSA1
Power-Max
446W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungstyp
Perforation
FET Typ
N-Channel
FET Feature
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
650 V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
75A (Tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 58.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 2.92mA
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9900 pF @ 400 V
Frequenz
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Rauschzahl
Standard
Power-Ausgang
---
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
10V
Vgs (Max)
±20V
Strom Drain (Id)-Max
75A (Tc)
Model Number:
IPW65R019C7FKSA1
Shipment Terms
DHL,UPS,TNT,FedEx,EMS or Post
Payment Terms
T/T,Western Union,PayPal,Escrow
Lead time
Immediately Shipment
Quality Warranty
365days

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Tube
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
1X1X1 cm
Einzelbruttogewicht:
5.000 kg

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