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Infrarot-LED-Chip 660nm 750nm 850nm 940nm Hoch lumen Far Red 1W 3W Hochleistungs-LED-Emissions diode

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Farben-Temperatur (CCT)
infrared
Garantie (Jahr)
2-jahr
Stützdimmer
Nein
Leucht Wirksamkeit (lm/w)
10

Andere Merkmale

Ursprungsort
Guangdong, China
Eingangs-Spannung (V)
3.0-3.6V
Art
Hohe Leistung LED
Beleuchtung lösungen service
Beleuchtung und schaltung design
Lebensdauer (stunden)
50000
Arbeitszeit (stunden)
50000
Span-Material
InGaN
Ausstrahlen von Farbe
infrared
Lichtstrom (lm)
90-100
Lichtdämpfung (%)
10
Energie
1-3W
Energien-Ableitung
3
Betrachtungs-Winkel (°)
120
Farbwiedergabe-Index (Ra)
80
Farben-Temperatur
infrared
Betriebstemperatur (℃)
-30 - 85
Speichertemperatur (℃)
-10 - 60
Markenname
LED TAOYUAN
Product name
high power led
Power
1-3W
Wavelength
660nm
Material
TaiWan Top Quality Chip
Voltage
3.0-3.6V
LED Chip
33mil/45mil
Package
anti-static tray

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Infrared LED Chip 660nm 750nm 850nm 940nm High Lumen Far Red 1W 3W High Power LED Emitting Diode
Antistatic box + carton
Hafen
ShenZhen

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit
100000 Stück/Stücke per Month

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 5000 > 5000
Vsl. Dauer (Tage)7Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelle Verpackung
Min. Auftrag: 1000

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

50 - 4999 Stück
0,35 $
>= 5000 Stück
0,07 $

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