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      Isolierter Gate-Bipolar transistor 1200V 175A Halbleiter VS-GT175DA120U IGBT-Modul

      Noch keine Bewertungen
      Shenzhen Hitech Development Technology Co., Ltd.4 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      VS-GT175DA120U
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      IGBT Module
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Beschreibung
      Power Igbt Module
      Ursprungsort
      China
      Paket/Fall
      standard
      Serie
      Power Igbt Module
      D/c
      --
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      IGBT Module
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      standard
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      standard
      Power-Max
      standard
      Frequenz-Übergang
      standard
      Betriebstemperatur
      standard
      Widerstand-Basis (R1)
      standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      standard
      FET Typ
      standard
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      standard
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      standard
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      standard
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      standard
      Frequenz
      standard
      Nennstrom (Ampere)
      standard
      Rauschzahl
      standard
      Power-Ausgang
      standard
      Spannung-Bewertet
      standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      standard
      Vgs (Max)
      standard
      IGBT Typ
      standard
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      standard
      Eingang
      standard
      Ntc
      standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      standard
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      standard
      Strom Drain (Id)-Max
      standard
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      standard
      Widerstand-RDS (Auf)
      standard
      Spannung
      standard
      Spannung-Ausgang
      standard
      Spannung-Offset (Vt)
      standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      standard
      Strom-Tal (Iv)
      standard
      Strom-Spitzen
      standard
      Anwendungen
      standard
      Item
      Trench IGBT
      Product Name
      1200V 175A Semiconductors VS-GT175DA120U Trench IGBT
      Part number
      VS-GT175DA120U
      Voltage Rating
      1200V
      Current Rating
      175A
      Datecode
      New
      Condition
      Original & New
      MOQ
      1 PC
      Warranty
      60 days
      Shipping Ways
      DHL, FEDEX, TNT, UPS, EMS, SF, etc.
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