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      JORDONG Enhancement Semicon ductors Ursprünglicher neuer Mosfet-Transistor IPD30N06S4L-23

      Noch keine Bewertungen2 Bestellungen
      Shenzhen Zhendongxin Electronic Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant4 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      IPD30N06S4L-23
      Art
      MOSFET
      Markenname
      Original
      Paket-Art
      TO-252-3

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Surface Mount
      Beschreibung
      1200pF @25V(Vds) N-CH
      Ursprungsort
      Original
      Paket/Fall
      TO-252-3
      Betriebstemperatur
      -55 ℃~175 ℃
      D/c
      New
      Anwendung
      MOSFETs
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Media Verfügbar
      Datenblatt
      品名
      IPD30N06S4L-23
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Betriebstemperatur
      - 55 C~+ 175 C
      Befestigungstyp
      SMD/SMT
      Anwendungen
      MOSFETs
      Transistor Polarity:
      N-Channel
      Power dissipation
      36 W
      Drain-source voltage (Vds)
      60 V
      Continuous drain current (Ids)
      30 A
      Rise time
      1 ns
      Input capacitance (Ciss)
      1200pF @25V(Vds)
      Fall time
      3 ns
      Power dissipation(Max)
      36 W
      Manufacturing applications
      Solenoids control, Single-ended motors, Lighting, Valves control
      Package
      TO-252-3

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      Reel
      Hafen
      shenzhen
      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      1X1X1 cm
      Einzelbruttogewicht:
      1.000 kg

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