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      Jeking B647 PNP Silizium-Kunststoff-Einkapseltransistor 2SB647

      Noch keine Bewertungen
      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Mehrfach spezialisierter Lieferant9 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      2SB647
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      original brand
      Paket-Art
      -

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Smd/smt
      Beschreibung
      Original
      Ursprungsort
      California, United States
      Paket/Fall
      -
      D/c
      -
      Anwendung
      Elektronisch
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM, Agentur, Händler
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      -
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -
      Befestigungstyp
      -
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Teilen ummer
      2 sb647
      Spannungs kollektor-Emitter
      100v
      Vce Sättigung (max) @ ib, ic
      1v @ 50ma, 500ma
      Strom-Kollektor-Cutoff (max)
      10ua (icbo)
      Dc aktuelle Verstärkung (hfe) (min) @ ic, vce
      60 @ 150ma, 5v
      Leistung-max
      900mw
      Frequenz-Übergang
      140MHz
      Paket/fall
      TO-92MOD
      Betriebs temperatur
      -55 °c ~ 150 °c (tj)
      Montage art
      Durch Loch

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      ESD/Vakuum/Schaum/Kartons

      Lieferfähigkeit

      Lieferfähigkeit
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      Vsl. Dauer (Tage)5Zu verhandeln

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