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      Jeking LR2905 Power MOSFET Transistor IRLR2905ZTRPBF

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      Shenzhen Jeking Electronic Corp.Mehrfach spezialisierter Lieferant9 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      IRLR2905ZTRPBF
      Art
      IGBT Transistor
      Markenname
      original brand
      Paket-Art
      -

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Smd/smt
      Beschreibung
      Original
      Ursprungsort
      California, United States
      Paket/Fall
      Bis-252-3, dpak (2 Leads + Tab), SC-63
      D/c
      -
      Anwendung
      Elektronisch
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM, Agentur, Händler
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos
      品名
      Mosfet N-CH 55v 42a dpak
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Betriebstemperatur
      -55°C ~ 175°C (TJ)
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      N-Kanal
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      55v
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      42a (tc)
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      13,5 mohm @ 36a, 10v
      Vgs (th) (Max) @ Id
      3v @ 250ua
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      35nc @ 5v
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      1570pf @ 25v
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      4,5 V, 10V
      Vgs (Max)
      ±16V
      IGBT Typ
      -
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Teilen ummer
      Irlr2905ztrpbf
      Technologie
      Mosfet (Metalloxid)
      Vgs (max)
      ± 16v
      Verlust leistung (max)
      110w (tc)
      Montage art
      Oberflächen montage
      Betriebs temperatur
      -55 °c ~ 175 °c (tj)
      Drain zur Quellens pannung (vdss)
      55 v
      Paket/fall
      Bis-252-3
      Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs
      35 nc @ 5 v
      Eingangs kapazität (ciss) (max) @ vds
      1570 pf @ 25 v

      Verpackung und Lieferung

      Details zur Verpackung
      ESD/Vakuum/Schaum/Kartons

      Lieferfähigkeit

      Lieferfähigkeit
      10000 Stück/Stücke per Week
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      Beschaffungszeit

      Kundenspezifische Anpassung

      Produktbeschreibungen vom Lieferanten

      100 - 499 Stück
      1,78 €
      500 - 999 Stück
      1,59 €
      >= 1000 Stück
      1,50 €

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