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品名
MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Betriebstemperatur
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
30V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
78A (Tc)
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.35V @ 50uA
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2139pF @ 15V
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
4,5 V, 10V
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
-
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
92A (Tc)
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
4,5 V, 10V
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
4,8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,35 V @ 50uA
Power Ableitung (Max)
75W (Tc)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
30V
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4,5 V