Jeking MOSFET TF10N60 N-CH 600V 10A TO220F AOTF10N60

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Shenzhen Jeking Electronic Corp.

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

AOTF10N60

Art

RF TRANSISTOR

Markenname

original brand

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ

SMD/SMT

Beschreibung

STANDARD

Ursprungsort

California, United States

Paket/Fall

D/c

Anwendung

Kreuz Referenz

品名

AOTF10N60

Strom-Collector (Ic) (Max)

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Strom-Collector Cutoff (Max)

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Frequenz-Übergang

Betriebstemperatur

Befestigungstyp

Widerstand-Basis (R1)

Widerstand-Emitter Basis (R2)

FET Typ

FET Feature

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Frequenz

Nennstrom (Ampere)

Rauschzahl

Power-Ausgang

Spannung-Bewertet

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Vgs (Max)

IGBT Typ

Konfiguration

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Eingang

Ntc

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Strom Drain (Id)-Max

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Widerstand-RDS (Auf)

Spannung

Spannung-Ausgang

Spannung-Offset (Vt)

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Strom-Tal (Iv)

Strom-Spitzen

Anwendungen

Part Number

AOTF10N60

Description

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

FET Type

N-Channel

Drain to Source Voltage

600V

Current @ 25°C

10A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250uA

Gate Charge @ Vgs

40nC @ 10V

Input Capacitance @ Vds

4.5V @ 250uA

Power Dissipation (Max)

50W (Tc)

Supplier Device Package

TO-220-3F

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

Rohr

Lieferfähigkeit

Standar Verpackung

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 1000	> 1000
Vsl. Dauer (Tage)	5	Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelle Verpackung

Min. Auftrag: 99999

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Produktbeschreibungen vom Lieferanten

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