K30T60 K50T60 K75T60 K75H603 K30H603 40 H60 K50H603 Trioden-Hoch leistungs wechsel richter neues Original IKW50N60T IKWK30T60 IKW50N60

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Shenzhen Yingjiexun Electronics Co., Ltd.3 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IKW50N60T

Art

IGBT Transistor

Markenname

import

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Ursprungsort

Original

Paket/Fall

TO-247

D/c

2021+

Anwendung

MOSFET fahrer

Lieferantentyp

N channel

Media Verfügbar

Field effect tube

品名

IKW50N60T

Strom-Collector (Ic) (Max)

33A

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

100V

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

44mΩ 10V,16A

Strom-Collector Cutoff (Max)

4V 250μA

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Power-Max

130W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C

Befestigungstyp

Perforation

FET Typ

N-Channel

FET Feature

Standard

Power-Ausgang

.

IGBT Typ

N-Channel

Konfiguration

Einzel

Anwendungen

integrated circuit

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung

box

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

5X5X5 cm

Einzelbruttogewicht:

0.005 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 1	> 1
Vsl. Dauer (Tage)	7	Zu verhandeln

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Min. Auftrag: 1

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1,21 €

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1,18 €

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