Neuer Original-High-Power-Dissipation 2SA1943 2SC5200 TO-3P isc Silizium-NPN-Leistungstransistor 2SA1943 2SC5200 für Stromverstärker

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Shenzhen Yinggaote Technology Co., Ltd.

Mehrfach spezialisierter Lieferant3 yrs

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

2sc5200

Art

Transistoren

Markenname

original

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ

Durch Loch, Oberflächen montage

Beschreibung

Mosfet 150v 130a to247

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

Standard

Art

Transistor, Mosfet

Betriebstemperatur

Standard

Serie

Original hersteller

D/c

Neueste

Anwendung

Verstärker

Lieferantentyp

Original hersteller, ODM, Agentur

Kreuz Referenz

N/a

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle

品名

Transistor

Strom-Collector (Ic) (Max)

N/a

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Standard

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

N/a

Strom-Collector Cutoff (Max)

N/a

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

N/a

Power-Max

N/a

Frequenz-Übergang

N/a

Betriebstemperatur

-55 °c ~ 175 °c (tj)

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

N/a

Widerstand-Emitter Basis (R2)

N/a

FET Typ

N/a

FET Feature

N/a

Drain Quelle Spannung (Vdss)

N/a

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

N/a

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Standard

Vgs (th) (Max) @ Id

Standard

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Standard

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

N/a

Frequenz

N/a

Nennstrom (Ampere)

N/a

Rauschzahl

N/a

Power-Ausgang

N/a

Spannung-Bewertet

N/a

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

N/a

Vgs (Max)

N/a

IGBT Typ

N/a

Konfiguration

N/a

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

N/a

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

N/a

Eingang

N/a

Ntc

N/a

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

N/a

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

N/a

Strom Drain (Id)-Max

N/a

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

N/a

Widerstand-RDS (Auf)

N/a

Spannung

N/a

Spannung-Ausgang

N/a

Spannung-Offset (Vt)

N/a

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

N/a

Strom-Tal (Iv)

N/a

Strom-Spitzen

N/a

Anwendungen

N/a

Transistor Typ

Standard

Verpackung und Lieferung

Verkaufseinheiten:

Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

2X2X2 cm

Einzelbruttogewicht:

0.003 kg

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 30000	30001 - 50000	> 50000
Vsl. Dauer (Tage)	3	5	Zu verhandeln

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Original packing

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