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      ORIGINAL IC Mosfet transistor 2sc5200 2sa909 A1943 C5200 2sa1943 Audio Pair 2sa 1943 sc5200 5200 in stock Bipolar Transistors

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      Shenzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.2 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      2sc5200 2sa1943
      Art
      Original
      Markenname
      ORIGINAL
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Through Hole
      Beschreibung
      Mosfet transistor
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      -
      Art
      MOSFET
      Betriebstemperatur
      -
      Serie
      -
      D/c
      Throught Hole
      Anwendung
      Original
      Lieferantentyp
      Original hersteller
      Kreuz Referenz
      -
      Media Verfügbar
      Other
      品名
      FGH60N60
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      -
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      -
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      -
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      -
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      -
      Power-Max
      -
      Frequenz-Übergang
      -
      Befestigungstyp
      Surface Mount/Through Hole
      Widerstand-Basis (R1)
      -
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      -
      FET Typ
      -
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      -
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      -
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      -
      Vgs (th) (Max) @ Id
      -
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      -
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      -
      Frequenz
      -
      Nennstrom (Ampere)
      -
      Rauschzahl
      -
      Power-Ausgang
      -
      Spannung-Bewertet
      -
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      -
      Vgs (Max)
      -
      IGBT Typ
      -
      Konfiguration
      Dreiphasig
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      -
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      -
      Eingang
      -
      Ntc
      -
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      -
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      -
      Strom Drain (Id)-Max
      -
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      -
      Widerstand-RDS (Auf)
      -
      Spannung
      -
      Spannung-Ausgang
      -
      Spannung-Offset (Vt)
      -
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      -
      Strom-Tal (Iv)
      -
      Strom-Spitzen
      -
      Anwendungen
      -
      Transistor Typ
      mrf150 rf power transistor
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      Warranty
      1 Year

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      Details zur Verpackung
      High Quality Package
      Hafen
      ShenZhen Hongkong

      Lieferfähigkeit

      Lieferfähigkeit
      10000 Stück/Stücke per Month
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      Menge (Stück)1 - 500501 - 20002001 - 10000 > 10000
      Vsl. Dauer (Tage)5710Zu verhandeln

      Produktbeschreibungen vom Lieferanten

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      2,79 €
      50 - 199 Stück
      2,32 €
      >= 200 Stück
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