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      Original Darlington Transistor Array Hochwertiger ULN2803ADWR 8NPN 8SOP IC Chip Power Bank Modul Sensor One-Stop-Chip-Service

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      Shenzhen Qihhang Initiate Technology Co., Ltd.1 yrCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      ULN2803ADWR
      Art
      Darlington Transistor
      Markenname
      Original brand
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Smd/smt
      Beschreibung
      Integrierte Schaltungen
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      SOIC-18
      Art
      Transistoren
      Betriebstemperatur
      -40 ℃ ~ + 85 ℃
      Serie
      Uln2803a
      D/c
      Neueste
      Anwendung
      Industrie elektrische Energie medizinische Elektronik
      Lieferantentyp
      Agentur, Händler, Andere
      Kreuz Referenz
      Uln2803adwrg4, Uln2803lw
      Media Verfügbar
      das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere
      品名
      Darlington-Transistoren
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      500 ma
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      50 v
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Ic Transistor 8npn 50v 0,5a
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      Power Bank Modul Sensor
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Integrierte Schaltungen
      Power-Max
      Ic komponenten
      Frequenz-Übergang
      Chip ic
      Betriebstemperatur
      -40℃~+85℃
      Befestigungstyp
      SMD/SMT
      Widerstand-Basis (R1)
      Neu und original
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      Bom list service
      FET Typ
      Hohe Qualität
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Andere ics
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Original Darlington Transistor Array
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      Neuzugang für One-Chip
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Integrierte Schaltungen
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Heißes Angebot ic Chip
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Bom-Liste elektronischer Komponenten
      Frequenz
      Elektronische Komponente
      Nennstrom (Ampere)
      Neuer diskreter Halbleiter
      Rauschzahl
      Heißes Angebot
      Power-Ausgang
      Power mosfet
      Spannung-Bewertet
      Ursprünglicher spot ic
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Integrierte elektronische Komponenten
      Vgs (Max)
      Uln2803adwr auf Lager
      IGBT Typ
      Mosfet-Transistor
      Konfiguration
      Band und Rolle
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Industrie qualität
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Profession eller Lieferant elektronischer Komponenten
      Eingang
      Bom elektronische Komponenten ic Chips
      Ntc
      Original bestand für integrierte Schaltkreise
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Komplette Serie bom
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Original neu
      Strom Drain (Id)-Max
      Bipolares Transistor array
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Transistor-Array-Treiber
      Widerstand-RDS (Auf)
      Profession eller Lieferant elektronischer Komponenten
      Spannung
      Brandneues Produkt von hoher Qualität
      Spannung-Ausgang
      Ursprüngliche integrierte schaltung
      Spannung-Offset (Vt)
      Integrierte Halbleitersc haltung
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Felde ffekt transistor
      Strom-Tal (Iv)
      Smd transistor
      Strom-Spitzen
      Mosfet abgestimmt
      Anwendungen
      Trans darlington npn 50v 2.5a 18-poliger soic t/r
      Transistor Typ
      Darlington-Transistoren
      Qualität
      100% original Marke
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      Neu und original
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      Diskreter Halbleiter
      Original Darlington Transistor Array
      8npn 50v 500ma 18-facher IC-Chip
      Power Bank Modul Sensor
      Power Bank Modul Sensor

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      shenzhen
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