Original Guter Preis 120 N120 IXGK120N120B3 IGBT-Transistor Einzel 200A 1200V 830W DIP TO-264 IXGK120N120 Elektronische Komponenten

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Dongguan Mixin Micro Semiconductor Co., Ltd.

Kundenspezifische Hersteller3 yrs

CN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IXGK120N120B3

Art

IGBT Transistor

Markenname

Original

Paket-Art

Dip

Andere Merkmale

Montage Typ

SMD-DIP

Ursprungsort

China

Paket/Fall

Bis-264 (ixgk)

D/c

Neu

Anwendung

Igbt Transistor

品名

Ixgk120n120b3

Strom-Collector (Ic) (Max)

200a

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

1200v

Strom-Collector Cutoff (Max)

370a

Power-Max

830w

Frequenz-Übergang

5,5 mj (auf)

Betriebstemperatur

-55 ℃ ~ 150 ℃ (tj)

Befestigungstyp

Perforation

IGBT Typ

Pt

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

3v @ 15v, 100a

Eingang

Standard

Schalt energie

5,5 mj (ein), 5,8 mj (aus)

Tor ladung

470 nc

Td (ein/aus) @ 25 ℃

36ns/275ns

Test bedingung

600V, 100a, 2Ohm, 15V.

Verpackung und Lieferung

Hafen

Shenzhen

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit

10000 Stück/Stücke per Week

Beschaffungszeit

Menge (Stück)	1 - 10000	> 10000
Vsl. Dauer (Tage)	3	Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

PCBA

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30,19 €

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