Original MMBT222ALT1G Paket SOT-23 NPN Triodentransistor mmBT222alt1g Oberflächenmontage elektronischer Bauteil Bestellung

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Shenzhen Hongyaxing Electronics Co., Ltd.2 yrs

Hauptmerkmale

Andere Merkmale

Ursprungsort

China

Markenname

Original

Modellnummer

MMBT222ALT1G SOT-23

Montage Typ

MMBT222ALT1G SOT-23

Beschreibung

MMBT222ALT1G SOT-23

Anwendung

MMBT222ALT1G SOT-23

Art

MMBT222ALT1G SOT-23

Serie

MMBT222ALT1G SOT-23

Merkmale

MMBT222ALT1G SOT-23

catalogue

Transistor (BJT)

Transistor type

NPN

Collector current (Ic)

600mA

Accumulator breakdown voltage (Vceo)

40V

Power (Pd)

225mW

DC current gain

100@150mA,10V

Characteristic frequency (fT)

300MHz

Collector cutoff current

10nA

collector emitter saturation voltage

1V@50mA,500mA

operation temperature

-55℃~+150℃@(Tj)

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Einzelartikel

Einzelpackungsgröße:

10X10X10 cm

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0.100 kg

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