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Original-transistoren elektronische Komponentenregler 80V 100A K100E08N1 für IC-Chips

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
K100E08N1
Art
MOSFET
Markenname
Original Brand
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ
.
Beschreibung
.
Ursprungsort
Melaka, Malaysia
Paket/Fall
.
Serie
.
D/c
Standard
Anwendung
.
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Andere
Media Verfügbar
das Fotos, Andere
品名
.
Strom-Collector (Ic) (Max)
.
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
.
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
.
Strom-Collector Cutoff (Max)
..
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
.
Power-Max
.
Frequenz-Übergang
.
Betriebstemperatur
.
Befestigungstyp
.
Widerstand-Basis (R1)
.
Widerstand-Emitter Basis (R2)
.
FET Typ
.
FET Feature
.
Drain Quelle Spannung (Vdss)
.
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
.
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
.
Vgs (th) (Max) @ Id
.
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
..
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
.
Frequenz
..
Nennstrom (Ampere)
.
Rauschzahl
.
Power-Ausgang
.
Spannung-Bewertet
.
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
.
Vgs (Max)
.
IGBT Typ
.
Konfiguration
.
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
.
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
.
Eingang
.
Ntc
..
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
.
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
.
Strom Drain (Id)-Max
.
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
.
Widerstand-RDS (Auf)
.
Spannung
.
Spannung-Ausgang
.
Spannung-Offset (Vt)
.
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
.
Strom-Tal (Iv)
.
Strom-Spitzen
.
Anwendungen
.
Transistor Typ
.
Versand durch
Dhl/ups/fedex/ems/hk post
Garantie
365 Tage
Payrent Möglichkeiten
T/t, western union, money gram, paypal, alipay, escrow
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. K100e08n1 e11 a4407t
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