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SY CHIPS IC FCH20N60 20 N60 Neuer originaler 600V 20A TO-247 MOSFET-Transistor FCH20N60

(1 review)3 Bestellungen
Shenzhen Sy Chips Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant5 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
FCH20N60
Art
Mosfet
Markenname
Original Brand
Paket-Art
Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ
-
Beschreibung
-
Ursprungsort
Japan
Paket/Fall
-
D/c
Neu
品名
Fch20n60
Strom-Collector (Ic) (Max)
-
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
-
Strom-Collector Cutoff (Max)
-
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
-
Power-Max
-
Frequenz-Übergang
-
Betriebstemperatur
-
Befestigungstyp
-
Widerstand-Basis (R1)
-
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
FET Feature
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Frequenz
-
Nennstrom (Ampere)
-
Rauschzahl
-
Power-Ausgang
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vgs (Max)
-
IGBT Typ
...
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
...
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Ntc
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Strom Drain (Id)-Max
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Produktname
Fch20n60
Produkt kategorie
Mosfet
Paket/fall
Bis-247-3
Anzahl der Kanäle
1 Kanal
Aufstiegs zeit
140 ns
Schlüssel wörter
Transistor
VDS-Drain-Source-Durchschlags pannung
600 v
Id-kontinuierlicher Drainage strom
20 a
Rds On - Drain-Source-Widerstand
190 Mohms
Gewichts einheit
38g

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Tube
Hafen
Shenzhen
Verkaufseinheiten:
Einzelartikel
Einzelpackungsgröße:
10X10X10 cm
Einzelbruttogewicht:
0.500 kg

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit
10000 Stück/Stücke per Month

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Menge (Stück)1 - 100 > 100
Vsl. Dauer (Tage)7Zu verhandeln
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