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SiC-Wafer 4H-SiC 6H-SiC 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll für MEMS Hohe Wärme leitfähig keit und niedrige Elektronen drift

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Hauptmerkmale

Andere Merkmale

Ursprungsort
Shanghai, China
Markenname
XINKEHUI
Modellnummer
SiC wafer
Art
SiC Wafer
Durchmesser
2,3,4,6,8 Zoll
Typ/Dotiers toff
N/Stickstoff/intrinsisch/hpsi
Widerstand
. 012 -.028 Ohm * cm
Dicke
250um - 15,000um(15mm)
Oberflächen ende
Einzelne oder doppelte Seite poliert
Stapels equenz
Abcb/Seite poliert abcacb
Diele ktrizitäts konstante
9.6/9,66
Elektronen beweglichkeit
800 cm2/v * s
Dichte
3,21. 103 kg/m3

Verpackung und Lieferung

Details zur Verpackung
Verpackt durch HAUSTIER schützender optischer Film

Lieferfähigkeit

Lieferfähigkeit
1000 Stück/Stücke per Week

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 100 > 100
Vsl. Dauer (Tage)180Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelles Logo
Min. Auftrag: 1000
individuelle Verpackung
Min. Auftrag: 1000
Grafikanpassung
Min. Auftrag: 1000

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

5 - 99 Stück
50.989,59 ₹
>= 100 Stück
46.740,46 ₹

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