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      Smart Electronics 100 % Original Schlussverkauf Dioden Großhandel Transistor K3878 MOS 9 A 900 V NPN TO-3P Feldwirkungs-Transistor K3878

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      Shenzhen Smart Electronics Co., LtdMehrfach spezialisierter Lieferant12 yrsCN

      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      K3878 9A 900V NPN TO-3P
      Art
      Field Effect Transistor
      Markenname
      origin
      Paket-Art
      Während des Lochs

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Ursprünglicher Standard
      Beschreibung
      Transistor k3878
      Ursprungsort
      Guangdong, China
      Paket/Fall
      Ursprünglicher Standard
      Art
      Felde ffekt transistor
      Serie
      K3878
      D/c
      Standard
      Anwendung
      Standard
      Lieferantentyp
      Agentur, Andere
      Media Verfügbar
      das Fotos, Andere
      品名
      Transistor k3878
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      Standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Standard
      Betriebstemperatur
      Standard
      Befestigungstyp
      Standard
      Widerstand-Basis (R1)
      Standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      Standard
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Standard
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Standard
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      Standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Standard
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Standard
      Frequenz
      Standard
      Nennstrom (Ampere)
      Standard
      Rauschzahl
      Standard
      Power-Ausgang
      Standard
      Spannung-Bewertet
      Standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Standard
      Vgs (Max)
      Standard
      IGBT Typ
      Standard
      Konfiguration
      Standard
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Standard
      Eingang
      Standard
      Ntc
      Standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Standard
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Standard
      Strom Drain (Id)-Max
      Standard
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Standard
      Widerstand-RDS (Auf)
      Standard
      Spannung
      Standard
      Spannung-Ausgang
      Standard
      Spannung-Offset (Vt)
      Standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Standard
      Strom-Tal (Iv)
      Standard
      Strom-Spitzen
      Standard
      Anwendungen
      Standard
      Transistor Typ
      Standard
      Typ
      Andere
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      Vsl. Dauer (Tage)15Zu verhandeln

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      10 - 99 Stück
      244,06 RUB
      100 - 999 Stück
      141,20 RUB
      >= 1000 Stück
      127,08 RUB

      Ausführungen

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