Anwendung
Field effect MOS transistor
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Händler, Other
Kreuz Referenz
FQA9N90, FHA9N90, 9N90, 2SK2611
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Other
品名
MOSFET NPN 900V 9A TO-3P
Strom-Collector (Ic) (Max)
9A
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
900V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
9A900V
Strom-Collector Cutoff (Max)
9A
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
9A900V
Frequenz-Übergang
high frequency
Betriebstemperatur
-50°C ~ 175°C
Befestigungstyp
Perforation
Widerstand-Basis (R1)
9A900V
Widerstand-Emitter Basis (R2)
9A900V
FET Feature
Siliziumkarbid (SiC)
Drain Quelle Spannung (Vdss)
900V
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
9A
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
9A900V
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
900V
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9A900V
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
900V
Konfiguration
Drei Ebene Inverter-IGBT, FET
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
9A900V
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
9A900V
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
900V
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
9A
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
9A900V
Widerstand-RDS (Auf)
9A900V
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
9A