Beschreibung
50V 100mA Transistor
Ursprungsort
Guangdong, China
Betriebstemperatur
-55℃~+150℃@(Tj)
Anwendung
General Purpose switching and amplification
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Other
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos
Strom-Collector (Ic) (Max)
100mA
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
400mV@60mA,5mA
Strom-Collector Cutoff (Max)
50nA
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungstyp
Oberfläche Montieren
Widerstand-Emitter Basis (R2)
-
Drain Quelle Spannung (Vdss)
-
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
-
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
-
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
50V
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
-
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
-
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
-
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
-
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
-
Anwendungen
General purpose switching and amplification.
Transistor Typ
Transistor (BJT)