Transistor hochwertig TO-92 BT169D 112

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Topsales Technology Shenzhen Co., Ltd.3 yrs

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

BT169D 112

Art

MOSFET

Markenname

original brand

Paket-Art

Während des Lochs

Andere Merkmale

Montage Typ

SMD/SMT

Beschreibung

TRANSISTORS, New in original

Ursprungsort

Guangdong, China

Paket/Fall

TO-220-3

Art

RF TRANSISTOR

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Serie

Original standard

D/c

Anwendung

Lieferantentyp

Original hersteller, ODM, Agentur, Händler

Kreuz Referenz

Media Verfügbar

Datenblatt, das Fotos

品名

IRLIB4343

Strom-Collector (Ic) (Max)

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Strom-Collector Cutoff (Max)

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Frequenz-Übergang

Betriebstemperatur

- 55C to +150C

Befestigungstyp

Perforation

Widerstand-Basis (R1)

Widerstand-Emitter Basis (R2)

FET Typ

N-Channel

FET Feature

Drain Quelle Spannung (Vdss)

55V

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

19A (Tc)

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250uA, 1V @ 250uA

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 50V

Frequenz

Nennstrom (Ampere)

Rauschzahl

Power-Ausgang

Spannung-Bewertet

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

IGBT Typ

Konfiguration

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Eingang

Ntc

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Strom Drain (Id)-Max

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Widerstand-RDS (Auf)

Spannung

Spannung-Ausgang

Spannung-Offset (Vt)

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Strom-Tal (Iv)

Strom-Spitzen

Anwendungen

Transistor Typ

Original standard

Product Name

BT169D 112

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Lead Free

Products Status

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