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      Yarun power mosfet transistor YR50N03 50N03 N-kanal 30V 50A schnelles schalten TO252

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      Wuxi Yarun Semiconductor Technology Co., Ltd.7 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      50N03 TO252
      Art
      MOSFET
      Markenname
      YR
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Null
      Beschreibung
      Transistor
      Ursprungsort
      Jiangsu, China
      Paket/Fall
      To252, To126, To220
      Art
      Mosfet
      Betriebstemperatur
      Null
      Serie
      Transistor
      D/c
      Null
      Anwendung
      Power Schalter Schaltungen
      Lieferantentyp
      Original hersteller, ODM, Agentur, Händler, Andere, Other
      Kreuz Referenz
      80 n03 bis 252
      Media Verfügbar
      Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere
      品名
      Mosfet
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      100a
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      600v
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      Null
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      100a
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      Null
      Power-Max
      6w
      Frequenz-Übergang
      Null
      Betriebstemperatur
      -55 bis 150 ℃
      Befestigungstyp
      Perforation
      Widerstand-Basis (R1)
      Null
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      Null
      FET Typ
      Null
      FET Feature
      Siliziumkarbid (SiC)
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      Null
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      Null
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      Null
      Vgs (th) (Max) @ Id
      Null
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      Null
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      Null
      Frequenz
      Null
      Nennstrom (Ampere)
      Null
      Rauschzahl
      Null
      Power-Ausgang
      Null
      Spannung-Bewertet
      Null
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      Null
      Vgs (Max)
      Null
      IGBT Typ
      Null
      Konfiguration
      Einzel
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      Null
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      Null
      Eingang
      Null
      Ntc
      Null
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      Null
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      Null
      Strom Drain (Id)-Max
      Null
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      Null
      Widerstand-RDS (Auf)
      Null
      Spannung
      Null
      Spannung-Ausgang
      Null
      Spannung-Offset (Vt)
      Null
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      Null
      Strom-Tal (Iv)
      Null
      Strom-Spitzen
      2a
      Anwendungen
      Null
      Transistor Typ
      Transistor
      Kreuzung zu Fall (dc)
      1.3 ℃/w
      Rth(j-a)
      60 ℃/w
      Spitzen-Gate-Spannung
      5v
      Vdrm/vrrm
      600v
      Es (av)
      8a
      Es (rms)
      12a
      Itsm
      100-110a
      Versand
      Dhl \ ups \ fedex \ ems \ hk post
      Dit/dt
      50a/us
      Spitzen tor strom
      2a

      Verpackung und Lieferung

      Verkaufseinheiten:
      Einzelartikel
      Einzelpackungsgröße:
      34X34X4 cm
      Einzelbruttogewicht:
      3.000 kg
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      Beschaffungszeit

      Menge (Boxen)1 - 12 - 1011 - 1000 > 1000
      Vsl. Dauer (Tage)101422Zu verhandeln
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      1 - 9 Boxen
      2.736,46 CN¥
      10 - 99 Boxen
      2.729,24 CN¥
      100 - 999 Boxen
      2.722,02 CN¥
      >= 1000 Boxen
      2.714,80 CN¥

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