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      hyst bom list service ic chip SI2302CDS T1 GE3 Transistor field effect transistor

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      Shenzhen HYST Technology Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant15 yrsCN
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      Hauptmerkmale

      Zentrale Industriespezifikation

      Modellnummer
      SI2302CDS T1 GE3
      Art
      Bipolar Transistor
      Markenname
      hyst
      Paket-Art
      Oberfläche Montieren

      Andere Merkmale

      Montage Typ
      Surface Mount
      Beschreibung
      standard
      Ursprungsort
      United States
      Paket/Fall
      SC-75 SOT-416
      Art
      Transistor
      Betriebstemperatur
      standard
      Serie
      --
      D/c
      2312
      Anwendung
      standard
      Lieferantentyp
      ODM, Other
      Kreuz Referenz
      --
      Media Verfügbar
      Other
      品名
      standard
      Strom-Collector (Ic) (Max)
      standard
      Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
      standard
      Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
      standard
      Strom-Collector Cutoff (Max)
      standard
      Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
      300mV 250uA 5mA
      Power-Max
      150 mW
      Frequenz-Übergang
      250 MHz
      Betriebstemperatur
      -55C +150C
      Befestigungstyp
      Oberfläche Montieren
      Widerstand-Basis (R1)
      standard
      Widerstand-Emitter Basis (R2)
      standard
      FET Typ
      Transistor
      FET Feature
      Standard
      Drain Quelle Spannung (Vdss)
      standard
      Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
      standard
      Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
      standard
      Vgs (th) (Max) @ Id
      standard
      Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
      standard
      Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
      standard
      Frequenz
      standard
      Nennstrom (Ampere)
      standard
      Rauschzahl
      standard
      Power-Ausgang
      standard
      Spannung-Bewertet
      standard
      Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
      standard
      Vgs (Max)
      standard
      IGBT Typ
      standard
      Konfiguration
      standard
      Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
      standard
      Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
      80 10mA 5V
      Eingang
      standard
      Ntc
      standard
      Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
      standard
      Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
      standard
      Strom Drain (Id)-Max
      standard
      Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
      standard
      Widerstand-RDS (Auf)
      standard
      Spannung
      standard
      Spannung-Ausgang
      standard
      Spannung-Offset (Vt)
      standard
      Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
      standard
      Strom-Tal (Iv)
      standard
      Strom-Spitzen
      standard
      Anwendungen
      Transistors
      Transistor Typ
      NPN
      Supplier
      Electronic Components
      Lead Free Status
      RoHS Compliant
      Condition
      Original manufacturer
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      Port
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      1 Pcs
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      24 hours

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      kg
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      25.458 ₫
      >= 2000 Stück
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