Neue und originale diskrete Halbleiter MOSFET IRFP250M IGBT Transistoren TO-247AC

(1 review)

Shenzhen Yuchuan Electronics Co., Ltd.5 yrs

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Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer

IRFP250M

Art

IGBT Transistor

Markenname

original

Andere Merkmale

Montage Typ

Pcba

Beschreibung

Pcba

Ursprungsort

original

Paket/Fall

Ständer

D/c

Neues jahr

Lieferantentyp

Original hersteller

品名

Ständer

Strom-Collector (Ic) (Max)

Ständer

Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)

Ständer

Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic

Ständer

Strom-Collector Cutoff (Max)

Ständer

Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Ständer

Power-Max

Ständer

Frequenz-Übergang

Ständer

Betriebstemperatur

Ständer

Widerstand-Basis (R1)

Ständer

Widerstand-Emitter Basis (R2)

Ständer

FET Typ

Ständer

Drain Quelle Spannung (Vdss)

Ständer

Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C

Ständer

Rds Auf (Max) @ Id, Vgs

Ständer

Vgs (th) (Max) @ Id

Ständer

Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Ständer

Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds

Ständer

Frequenz

Ständer

Nennstrom (Ampere)

Ständer

Rauschzahl

Ständer

Power-Ausgang

Ständer

Spannung-Bewertet

Ständer

Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)

Ständer

Vgs (Max)

Ständer

IGBT Typ

Ständer

Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic

Ständer

Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce

Ständer

Eingang

Ständer

Ntc

Ständer

Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)

Ständer

Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Ständer

Strom Drain (Id)-Max

Ständer

Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id

Ständer

Widerstand-RDS (Auf)

Ständer

Spannung

Ständer

Spannung-Ausgang

Ständer

Spannung-Offset (Vt)

Ständer

Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)

Ständer

Strom-Tal (Iv)

Ständer

Strom-Spitzen

Ständer

Anwendungen

Ständer

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