Dicke 5-15mm Silicon Hartmetall SiC Wafer

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Übersicht
Kurzbeschreibung
Ursprungsort:
Jiangsu, China
Markenname:
zmsh
Modellnummer:
ingot
Industry:
Semiconductor Substrate
Materials:
Sic Crystal
Application:
5G, Device Material, MOCVD,power Electronics
Type:
4H-N,semi ,No Doped
Color:
Green,blue, White
Hardeness:
9.0 Up
Produktivität
Produktivität:
100 Piece/Pieces per Week
Verpackung & Versand
Verpackungsdetails
Durch kunden fall
Hafen
shanghai
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Produkt Beschreibung

SiC Wafer Funktion

 

Eigentum

4H-SiC, Einzigen Kristall

6H-SiC, Einzigen Kristall

Gitter Parameter

A = 3,076 Å c = 10,053 Å

A = 3,073 Å c = 15,117 Å

Stapeln Sequenz

ABCB

ABCACB

Mohs Härte

& Asymp; 9,2

& Asymp; 9,2

Dichte

3,21g/cm3

3,21g/cm3

Therm. Expansion Koeffizient

4-5 ×10-6/K

4-5 ×10-6/K

Brechung Index @ 750nm

Keine = 2,61

Ne = 2,66

Keine = 2,60

Ne = 2,65

Dielektrizitätskonstante

C ~ 9,66

C ~ 9,66

Wärmeleitfähigkeit (N-typ, 0,02 ohm. cm)

Eine ~ 4,2 W/cm · K @ 298 K

C ~ 3,7 W/cm · K @ 298 K

 

Wärmeleitfähigkeit (Semi-isolierende)

Eine ~ 4,9 W/cm · K @ 298 K

C ~ 3,9 W/cm · K @ 298 K

Eine ~ 4,6 W/cm · K @ 298 K

C ~ 3,2 W/cm · K @ 298 K

Band-lücke

3,23 eV

3,02 eV

Brechen-Unten Elektrische Feld

3-5 ×106V/cm

3-5 ×106V/cm

Sättigung Drift Geschwindigkeit

2,0 × 105 m/s

2,0 × 105 m/s



Physikalische und Elektronische Eigenschaften von

 

Breite Energie Babybandlücke (eV)

 

4H-SiC: 3,26 6H-SiC: 3,03 GaAs: 1,43 Si: 1,12

Elektronische geräte gebildet in SiC können bedienen bei extrem hohen temperaturen ohne leiden von eigen leitung effekte wegen der breite energie babybandlücke. Auch, diese eigenschaft ermöglicht SiC zu emittieren und erkennen kurze wellenlänge licht, die macht die fertigung von blau licht emittierende dioden und fast solar blind UV photodetectors möglich.

 

Hohe Zusammenbruch Elektrische Feld [V/cm (für 1000 V betrieb)]

 

4H-SiC: 2,2x106 * 6H-SiC: 2,4x106 * GaAs: 3x105 Si: 2,5x105

SiC kann widerstehen eine spannung gradienten (oder elektrische feld) über acht mal größer als als Si oder GaAs ohne sich avalanche zusammenbruch. Diese hohe zusammenbruch elektrische bereich ermöglicht die herstellung von sehr hohe-spannung, high-power geräten wie dioden, power transitors, power thyristoren und surge suppressors, sowie hohe power mikrowelle geräte. Zusätzlich, es ermöglicht die geräte platziert werden sehr nah zusammen, bietet hohe gerät verpackung dichte für integrierte schaltungen.

 

Hohe Thermische Leitfähigkeit (W/cm · K @ RT)


4H-SiC: 3,0-3,8 6H-SiC: 3,0-3,8 GaAs: 0,5 Si: 1,5

SiC ist eine hervorragende thermische leiter. Wärme wird fluss mehr leicht durch SiC als andere semiconductor materialien. In der tat, bei raum temperatur, SiC hat eine höhere thermische leitfähigkeit als jede metall. Diese eigenschaft ermöglicht SiC geräte zu bedienen bei extrem hohen power ebenen und noch abzuführen die große mengen von überschüssige wärme erzeugt.

 

Hohe Gesättigt Elektron Drift Geschwindigkeit [cm/sec (@ E ≥ 2x105 V/cm)]

 

4H-SiC: 2,0x107 6H-SiC: 2,0x107 GaAs: 1,0x107 Si: 1,0x107
SiC geräte können bedienen bei hohen frequenzen (RF und mikrowelle) wegen der hohen gesättigten elektron drift geschwindigkeit von SiC.

FAQ

 

Q: Was ist der weg der versand und kosten?

EINE :( 1) Wir nehmen DHL, Fedex, EMS durch FOB.

 

Q: Wie zu zahlen?

A: T/T, IN voraus

 

Q: Was ist ihre MOQ?

A: (1) Für inventar, die MOQ ist 30g.

(2) für angepasst commen produkte, die MOQ ist 50g

 

Q: was ist die lieferzeit?

A: (1) Für die standard produkte

Für inventar: die lieferung ist 5 werktagen, nachdem sie die bestellung aufgeben.

Für angepasst produkte: die lieferung ist 2-4 wochen nach sie auftrag kontaktieren.

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