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großhandel NVH4L020N120SC teile SIC moset 1200V NVH4L020 N120SC1 wechselrichter leistungsverstärker bom

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Shenzhen Gihe Electronics Co., Ltd.Mehrfach spezialisierter Lieferant3 yrsCN

Hauptmerkmale

Zentrale Industriespezifikation

Modellnummer
NVH4L020N120SC1
Art
RF TRANSISTOR
Markenname
original
Paket-Art
Oberfläche Montieren

Andere Merkmale

Montage Typ
Standard
Beschreibung
Elektronische Teile
Ursprungsort
Guangdong, China
Paket/Fall
Standard
Art
Mosfet
Betriebstemperatur
Standard
D/c
21 +;22 +
Lieferantentyp
Original hersteller, ODM, Agentur, Händler, Andere
Media Verfügbar
Datenblatt, das Fotos, EDA/CAD Modelle, Andere
品名
Mosfet-Transistor, Original marke
Strom-Collector (Ic) (Max)
Standard
Spannung-Collector Emitter Zusammenbruch (Max)
Standard
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
Standard
Strom-Collector Cutoff (Max)
Standard
Gleichstrom Verstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Standard
Power-Max
Standard
Frequenz-Übergang
Standard
Widerstand-Basis (R1)
Standard
Widerstand-Emitter Basis (R2)
Standard
FET Typ
Standard
FET Feature
Standard
Drain Quelle Spannung (Vdss)
Standard
Strom-Kontinuierliche Drain (Id) @ 25 °C
Standard
Rds Auf (Max) @ Id, Vgs
Standard
Vgs (th) (Max) @ Id
Standard
Tor Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
Standard
Eingangs Kapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Standard
Frequenz
Standard
Nennstrom (Ampere)
Standard
Rauschzahl
Standard
Power-Ausgang
Standard
Spannung-Bewertet
Standard
Stick Spannung (Max Rds Auf, Min Rds Auf)
Standard
Vgs (Max)
Standard
IGBT Typ
Standard
Konfiguration
Einzel
Vce (auf) (Max) @ Vge, Ic
Standard
Eingangs Kapazität (Cies) @ Vce
Standard
Eingang
Standard
Ntc
Standard
Spannung-Zusammenbruch (V (BR) GSS)
Standard
Strom-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Standard
Strom Drain (Id)-Max
Standard
Spannung-Cutoff (VGS off) @ Id
Standard
Widerstand-RDS (Auf)
Standard
Spannung
Standard
Spannung-Ausgang
Standard
Spannung-Offset (Vt)
Standard
Strom-Tor zu Anode Leckage (Igao)
Standard
Strom-Tal (Iv)
Standard
Strom-Spitzen
Standard
Anwendungen
Allgemeiner Zweck
Paket
TO247-4
Produkt-Schlüssel wörter
Elektronische Teile
Produktname
Sic Verstärker moset
Teilen ummer
Nvh4l020n120sc1
Garantie
180 Tage
Zahlungs möglichkeiten
Tt \ visa \ money gram \ paypal \ escrow
Verpackung
Neue * original verpackung
Technologie
Mosfet Metalloxid
Kategorie
Diskrete Halbleiter produkte Transistoren-fets

Beschaffungszeit

Menge (Stück)1 - 20002001 - 50005001 - 10000 > 10000
Vsl. Dauer (Tage)3710Zu verhandeln

Kundenspezifische Anpassung

individuelles Logo
Min. Auftrag: 2000
individuelle Verpackung
Min. Auftrag: 2000
Grafikanpassung
Min. Auftrag: 2000

Produktbeschreibungen vom Lieferanten

50 - 199 Stück
3,50 $
200 - 499 Stück
3,40 $
>= 500 Stück
3,36 $

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